Hersteller Produktnummer:
TSM2312CX RFG
Product Overview
Hersteller:
Taiwan Semiconductor Corporation
Teilenummer:
TSM2312CX RFG-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CHANNEL 20V 4.9A SOT23
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 20 V 4.9A (Tc) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23
Inventar:
157966 Stück Neu Original Auf Lager
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TSM2312CX RFG Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Not For New Designs
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4.9A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.8V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
33mOhm @ 4.9A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
11.2 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
500 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
750mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-23
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis-Produktnummer
TSM2312
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
TSM2312CX RFGDKR
1801-TSM2312CXRFGDKR
TSM2312CXRFGDKR-DG
TSM2312CX RFGTR-DG
TSM2312CX RFGCT-DG
TSM2312CX RFGTR
TSM2312CXRFGDKR
TSM2312CXRFGTR-DG
TSM2312CXRFGTR
1801-TSM2312CXRFGTR
TSM2312CX RFGDKR-DG
TSM2312CXRFG-DG
TSM2312CXRFGCT-DG
TSM2312CX RFGCT
1801-TSM2312CXRFGCT
TSM2312CXRFGCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
SI2314EDS-T1-E3
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
93683
TEILNUMMER
SI2314EDS-T1-E3-DG
Einheitspreis
0.24
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